Κουβάτσος Δημήτριος


τηλ:
fax:
e-mail: dimkouv@imel.demokritos.gr

webiste:

Βιογραφικά Στοιχεία
Ερευνητικός Φορέας/ Ομάδα/ Εργαστήριο

Ερευνητικές και Ακαδημαϊκές θέσεις:

  • Διευθυντής Ερευνών (Α' βαθμίδας), Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής (ΙΜΗΛ), ΕΚΕΦΕ “Δημόκριτος”, από Φεβρουάριο 2009.

  • Κύριος Ερευνητής (Β' βαθμίδας), ΙΜΗΛ / ΕΚΕΦΕ “Δημόκριτος”, 3/2003 έως 2/2009.

  • Εντεταλμένος Ερευνητής (Γ' βαθμίδας), ΙΜΗΛ / ΕΚΕΦΕ “Δημόκριτος”, 4/1999 έως 3/2003

  • Συνεργαζόμενος Ερευνητής / σύμβαση, ΙΜΗΛ / ΕΚΕΦΕ “Δημόκριτος”, 1/1998 έως 4/1999.

  • Visiting Research Scientist, LCD research lab, Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania, USA, 4/1995 έως 6/1995.

  • Adjunct Lecturer, Department of Electrical Engineering, Lehigh University, 8/1992 έως 12/1992.

  • Visiting Research Scientist, Sherman Fairchild Center for Solid State Studies, Lehigh University, 1/1992 έως 12/1992.


Σπουδές

Ph.D., Electrical Engineering, Ιανουάριος 1992

Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania, USA.

M.Sc., Electrical Engineering, Οκτώβριος 1988

Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania, USA.

Δίπλωμα Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ιούνιος 1985

Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο.

 Πεδίο έρευνας:
  • Διατάξεις λεπτών υμενίων για ηλεκτρονικά μεγάλων επιφανειών, ολοκληρωμένα μικροσυστήματα και οθόνες.
  • Χαρακτηρισμός και διερεύνηση της αξιοπιστίας και των μηχανισμών γήρανσης τρανζίστορς λεπτών υμενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου, συσχετισμός με δομή και ιδιότητες υλικών.
  • Νέες δομές διατάξεων παρηγμένες με διαδικασίες συμβατές με τεχνολογία CMOS και διεργασίες επιμεταλλώσεων.

 Ακαδημαϊκά επιτεύγματα:
Περισσότερες από 100 δημοσιεύσεις και από 400 αναφορές. h-index = 11 (επί όλων των δημοσιεύσεων, 1990-2010). Τακτικό μέλος τεχνικής επιτροπής συνεδρίων ESREF και έκτακτο πολλών άλλων. Κριτής σε περί τα 15 ερευνητικά περιοδικά (IEEE, AIP, IOP, ECS, IET, Elsevier, Wiley) και σε προτάσεις.
Επιλεγμένες δημοσιεύσεις:

  1. Moschou, D.C., F.V. Farmakis, D.N. Kouvatsos and A.T. Voutsas, “Vg,max - Vth: A new electrical characterization parameter reflecting the polysilicon film quality of LTPS TFTs”, Microelectron. Engineer. 90, 76, February 2012.
  2. Michalas, L., M. Koutsoureli, G.J. Papaioannou, D.N. Kouvatsos and A.T. Voutsas, “Hydrogen passivation on sequential lateral solidified poly-Si TFTs”, Microel. Engin. 90, 72, Feb. 2012.
  3. Moschou, D.C., N. Vourdas, D. Davazoglou, D.N. Kouvatsos, V.E. Vamvakas and A.T. Voutsas, “On the optical properties of SLS ELA polycrystalline silicon films”, Microelectronic Engineering 90, 69, February 2012.
  4. Kontogiannopoulos, G.P., F.V. Farmakis, D.N. Kouvatsos, G.J. Papaioannou and A.T. Voutsas, “A Practical Model Assessing the Degradation of Polycrystalline Silicon TFTs due to dc Electrical Stress”, IEEE Transactions on Electron Devices ED-57 (6), 1390, June 2010.
  5. Moschou, D.C., G.P. Kontogiannopoulos, D.N. Kouvatsos and A.T. Voutsas, “On the importance of Vg,max – Vth parameter on LTPS TFT stressing behavior”, Microelectronics Reliability 50 (2), 190, February 2010.
  6. Exarchos, M.A., G.J. Papaioannou, D.C. Moschou, D.N. Kouvatsos, A. Arapoyanni and A.T. Voutsas, “On the study of p-channel thin-film transistors fabricated by SLS ELA crystallization techniques”, Thin Solid Films 517 (23), 6375, October 2009.
  7. Michalas, L., G.J. Papaioannou, D.N. Kouvatsos and A.T. Voutsas, “Back gate influence on front channel operation of p-channel double gate polysilicon TFTs”, Thin Solid Films 517 (23), 6364, October 2009.
  8. Kontogiannopoulos, G.P., F.V. Farmakis, D.N. Kouvatsos, G.J. Papaioannou and A.T. Voutsas, “Degradation and lifetime estimation of n-MOS SLS ELA polycrystalline TFTs during hot carrier stressing – Effect of channel width in the region Vth £ VGS,stress £ VDS,stress/2”, Semicond. Sci. Tech. 24 (7), 0750271, July 2009.
  9. Verrelli, E., D. Tsoukalas and D. Kouvatsos, “Deposition and electrical characterization of hafnium oxide films on silicon”, Physica Status Solidi (c) 5 (12), 3720, December 2008.
  10. Exarchos, M.A., D.C. Moschou, G.J. Papaioannou, D.N. Kouvatsos and A.T. Voutsas, “Performance of thin-film transistors fabricated by sequential lateral solidification crystallization techniques”, Physica Status Solidi (c) 5 (12), 3634, December 2008.

Micro&Nano 2010 Created by Awapai FlexWeb